Research fieldLínea de investigación

Complex oxides & correlated materialsÓxidos complejos y materiales correlacionados

Correlated electronic systems in which oxygen stoichiometry, interfaces and external control parameters reorganize transport and phase behavior.Sistemas electrónicos correlacionados donde la estequiometría de oxígeno, las interfases y los parámetros externos reorganizan el transporte y las fases.

Carlos Acha
YBCOsuperconducting cuprate and a model system for metal/oxide interfacescuprato superconductor y sistema modelo para interfases metal/óxido
GaTa₄Se₈first-order pressure-driven Mott insulator–metal transitiontransición Mott aislante–metal de primer orden inducida por presión
O vacanciescentral microscopic variable across several resistive-switching systemsvariable microscópica central en varios sistemas de conmutación resistiva

What we learnedQué logramos

Interfaces turn correlated oxides into active electronic systemsLas interfases convierten a los óxidos correlacionados en sistemas electrónicos activos

Strongly correlated oxides as active mediaÓxidos fuertemente correlacionados como medio activo

YBCO, manganites and cobaltites were used not only as bulk correlated materials but as active interfaces whose electrical state can be reorganized by fields and oxygen motion.YBCO, manganitas y cobaltitas se estudiaron no sólo como materiales correlacionados masivos sino como interfases activas cuyo estado eléctrico puede reorganizarse mediante campos y movimiento de oxígeno.

Transport fingerprintsHuellas de transporte

Electrical transport was used as a microscopic probe: Poole–Frenkel emission, hopping, SCLC and interfacial barriers distinguish different materials and defect landscapes.El transporte eléctrico se utilizó como sonda microscópica: emisión Poole–Frenkel, hopping, SCLC y barreras interfaciales permiten distinguir materiales y paisajes de defectos.

Mott transition as a clean correlated-electron benchmarkLa transición de Mott como banco de prueba de electrones correlacionados

Pressure studies on GaTa₄Se₈ identified a first-order insulator-to-metal transition with hysteresis near the critical region, providing an experimental benchmark for Mott physics.Los estudios bajo presión en GaTa₄Se₈ identificaron una transición aislante-metal de primer orden con histéresis cerca de la región crítica, aportando un banco de prueba experimental para la física de Mott.

Published resultsResultados publicados

Representative experimental figuresFiguras experimentales representativas

These are real figures from the research papers / author manuscripts, not illustrative graphics generated for the website.Estas son figuras reales de los trabajos / manuscritos de autor, no gráficos ilustrativos generados para la web.

Pressure-driven Mott transition
Pressure-driven Mott transitionTransición de Mott inducida por presión Resistivity of GaTa₄Se₈ versus temperature at several pressures, showing the colossal change associated with the pressure-driven insulator-to-metal transition (Camjayi et al., PRL 113, 086404, 2014).Resistividad de GaTa₄Se₈ versus temperatura a distintas presiones, mostrando el cambio colosal asociado a la transición aislante–metal inducida por presión (Camjayi et al., PRL 113, 086404, 2014).
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Hysteresis and coexistence
Hysteresis and coexistenceHistéresis y coexistencia The bistable transport regime near the first-order Mott transition provides direct evidence of electronic phase coexistence and history dependence.El régimen biestable de transporte cerca de la transición de Mott de primer orden aporta evidencia directa de coexistencia de fases electrónicas y dependencia de la historia.
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